Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2303BDS-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2303BDS
SI2303BDS-T1-E3 Hakkında
SI2303BDS-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 1.49A sürekli drenaj akımı ile tasarlanan bu bileşen, SOT-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 200mOhm Rds(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve düşük güçlü anahtarlayıcı tasarımlarında kullanılır. 700mW maksimum güç tüketimi ve 10nC gate charge özellikleri ile kompakt ve verimli devre tasarımlarına uygundur. Not: Bu ürün artık üretilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.49A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 180 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 1.7A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok