Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2303BDS-T1
MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2303BDS
SI2303BDS-T1 Hakkında
SI2303BDS-T1, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 1.49A sürekli drain akımı ile çalışabilen bu bileşen, SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 200mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük açık direnç özelliği taşır. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir ve maksimum 700mW güç harcayabilir. Anahtarlama uygulamalarında, küçük sinyal amplifikasyonunda ve elektronik devrelerde kontrol elemanı olarak kullanılan bu MOSFET, kompakt boyutu ile düşük güçlü uygulamalara uygun bir seçenektir. Ürün kullanım dışı (Obsolete) durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.49A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 180 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 1.7A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok