Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2302DS,215
MOSFET N-CH 20V 2.5A TO236AB
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2302DS
SI2302DS,215 Hakkında
SI2302DS, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V Drain-Source gerilimi ve 2.5A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. SOT-23 (TO-236AB) yüzey montajlı paket içerisinde sunulur. 85mOhm maksimum RDS(on) direnci ile düşük güç kaybı sağlar. -65°C ile 150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü ve güç yönetimi devrelerinde kullanılan kompakt MOSFET çözümüdür. Mevcut durumu kullanım dışı (Obsolete) olarak listelenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 230 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 830mW (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23 (TO-236AB) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 650mV @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok