Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2302DDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2302DDS
SI2302DDS-T1-GE3 Hakkında
SI2302DDS-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 2.9A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. Düşük on-state direnci (57mOhm @ 4.5V) ile verimli anahtarlama özellikleri sağlar. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, LED sürücüleri ve düşük voltajlı DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. 5.5nC gate charge değeri ile hızlı komütasyon özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.9A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 710mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 850mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok