Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2302ADS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2302ADS
SI2302ADS-T1-GE3 Hakkında
SI2302ADS-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj kapasitesi ve 2.1A sürekli drain akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 60mΩ maksimum On-direnci ile verimli anahtarlama sağlar. Gate charge değeri 10nC ve input kapasitansi 300pF'dir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen transistör, 700mW güç disipasyonuna sahiptir. Led sürücüleri, düşük voltajlı DC-DC konverterleri, analog anahtarlar ve genel sinyal anahtarlaması uygulamalarında yer alır. Not: Bu ürün üretim dışına çıkarılmıştır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 300 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok