Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI2301S-2.3A

MOSFET SOT-23 P Channel 20V

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
SI2301S

SI2301S-2.3A Hakkında

SI2301S-2.3A, NextGen Components tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. SOT-23 yüzey monte paketi içinde sunulan bu komponent, 20V drain-source gerilimi ve 2A sürekli drenaj akımı ile çalışır. 90mOhm maksimum On-direnç (4.5V gate geriliminde) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, batarya koruma sistemleri ve düşük güçlü kesmeci (switch) uygulamalarında kullanılır. 6.6nC gate charge ve 330pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlamaya uygun tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 3.3V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 225mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 3A, 4.5V
Supplier Device Package SOT-23
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok