Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2301CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2301CDS
SI2301CDS-T1-GE3 Hakkında
SI2301CDS-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 3.1A sürekli dren akımı ile çalışabilen bu bileşen, SOT-23-3 yüzey montajı paketinde sunulmaktadır. 112mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve batarya koruma sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 10nC gate charge ve 405pF input capacitance değerleri ile hızlı komütasyon sağlar. TTL/CMOS mantık seviyeleriyle uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 405 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 860mW (Ta), 1.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 112mOhm @ 2.8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok