Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2301BDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2301BDS
SI2301BDS-T1-GE3 Hakkında
SI2301BDS-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi (Vdss) ve 2.2A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 4.5V gate geriliminde 100mOhm maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük kayıp anahtarlama uygulamalarında kullanılır. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışır. Mobil cihazlarda, güç yönetimi, yük anahtarlaması ve sinyal kontrol devrelerinde yaygın olarak uygulanır. 700mW maksimum güç tüketimi ile batarya uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 375 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 2.8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok