Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI2301-3A

MOSFET SOT-23 P Channel 20V

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
SI2301

SI2301-3A Hakkında

SI2301-3A, NextGen Components tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. SOT-23 paketinde sunulan bu bileşen, 20V drain-source gerilimi ve 3A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 90mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük direnç özelliği gösterir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, batarya şarj kontrol devreleri ve genel sinyal kontrol uygulamalarında kullanılır. Düşük gate charge (6.6nC @ 10V) sayesinde hızlı komütasyon performansı sağlar. Surface mount montajı ile modern PCB tasarımlarına uyum gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 3.3V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 225mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 3A, 4.5V
Supplier Device Package SOT-23
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok