Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2300DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2300DS
SI2300DS-T1-GE3 Hakkında
SI2300DS-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 3.6A sürekli drain akımı ile çalışabilir. SOT-23-3 (TO-236) paketinde sunulan bu bileşen, 68mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, düşük sinyal işleme, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve genel amaçlı kontrol uygulamalarında kullanılır. 10nC gate charge ve 320pF input capacitance değerleri hızlı switching karakteristiği sağlar. Yüksek entegrasyon ve kompakt tasarıma sahip olan bu transistör, tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol ve portable cihazlar için uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 320 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.1W (Ta), 1.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 68mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok