Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI1499DH-T1-BE3
MOSFET P-CH 8V 1.6A/1.6A SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI1499DH
SI1499DH-T1-BE3 Hakkında
SI1499DH-T1-BE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 8V drain-source gerilimi ile çalışabilen bu bileşen, maksimum 1.6A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. SC70-6 (6-TSSOP) yüzey montajlı paketinde sunulan transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 78mOhm (4.5V, 2A koşullarında) düşük on-direnci, 16nC gate charge ve 650pF input kapasitansı değerleriyle karakterize edilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, düşük gerilim uygulamaları ve mobil cihazlar gibi alan adı sınırlandırılmış tasarımlarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.6A (Ta), 1.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8 V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 650 pF @ 4 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 2.78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78mOhm @ 2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-70-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok