Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI1489EDH-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI1489EDH
SI1489EDH-T1-GE3 Hakkında
SI1489EDH-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 8V drain-source voltajı ve 2A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. SOT-363 (SC-88) paketinde sunulan bu komponent, 48mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu MOSFET, anahtarlı güç kaynakları, load switch uygulamaları ve düşük gerilim sinyal kontrol devrelerinde kullanılır. 4.5V ve 1.2V sürüş gerilimi seçenekleri ile esneklik sunar. ±5V maksimum gate-source gerilim ile entegre devrelerden doğrudan kontrol edilebilir. Surface mount teknolojisi ile kompakt PCB tasarımlarına uygun.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48mOhm @ 3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-70-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok