Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI1480DH-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 2.6A SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI1480DH
SI1480DH-T1-GE3 Hakkında
SI1480DH-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 2.6A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle kompakt uygulamalar için tasarlanmıştır. 200mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. SC70-6 SMD paketinde sunulan bu transistör, güç yönetimi, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışır ve 5nC düşük gate charge değerine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 130 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 1.9A, 10V |
| Supplier Device Package | SC-70-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok