Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI1480DH-T1-BE3

MOSFET N-CH 100V 2.1A/2.6A SC70

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
SI1480DH

SI1480DH-T1-BE3 Hakkında

Vishay SI1480DH-T1-BE3, 100V drain-source gerilimi ve 2.1A (Ta) / 2.6A (Tc) sürekli dren akımı özelliklerine sahip N-Channel MOSFET transistördür. SC-70-6 (6-TSSOP) SMD paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-state direnci (200mOhm @ 1.9A, 10V) ve 1.5W (Ta) / 2.8W (Tc) güç tüketim kapasitesiyle çalışır. -55°C ile 150°C arasında işletim sıcaklığında kullanılabilen SI1480DH, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve düşük sinyal seviyeleri gerektiren endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.1A (Ta), 2.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 130 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1.9A, 10V
Supplier Device Package SC-70-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok