Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI1469DH-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
SI1469DH

SI1469DH-T1-GE3 Hakkında

SI1469DH-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajına ve 2.7A sürekli dren akımına sahip olan bu bileşen, düşük on-resistance değeri (80mOhm @ 2A, 10V) ile anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. 6-TSSOP (SC-70) paketinde sunulan komponent, -55°C ile +150°C arasında güvenli şekilde çalışabilmektedir. Hafif gate charge karakteristiği (8.5 nC @ 4.5V) sayesinde hızlı anahtarlama sağlar. Güç yönetimi, batarya yönetimi devreleri, motor kontrol ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 470 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 2A, 10V
Supplier Device Package SC-70-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok