Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI1467DH-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
SI1467DH

SI1467DH-T1-GE3 Hakkında

SI1467DH-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajı ve 2.7A sürekli drenaj akımı ile tasarlanan bu bileşen, 90mΩ RDS(on) değerine sahiptir. 6-pin SC70 (SOT-363) yüzey montajlı paketiyle küçük ve kompakt devreler için uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen ve 1.5W güç harcaması ile tasarlanan bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında, özellikle düşük voltajlı güç yönetimi, batarya kontrol devreleri ve sinyal anahtarlamasında kullanılır. Düşük gate charge (13.5nC) ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 561 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2A, 4.5V
Supplier Device Package SC-70-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok