Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI1467DH-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
SI1467DH

SI1467DH-T1-E3 Hakkında

SI1467DH-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ile 2.7A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. SC70-6 (SOT-363) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 4.5V gate geriliminde 90mΩ maksimum RDS(on) değerine ve 13.5nC maksimum gate yükü karakteristiğine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen transistör, düşük sinyalli anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, yazılım kontrollü yükler ve analog sinyal anahtarlama işlemlerinde kullanılır. Düşük kapasite ve hızlı komütasyon özellikleri sayesinde portable cihazlar, batarya yönetimi ve IoT uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 561 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2A, 4.5V
Supplier Device Package SC-70-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok