Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI1450DH-T1-GE3

MOSFET N-CH 8V 4.53A/6.04A SC70

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
SI1450DH

SI1450DH-T1-GE3 Hakkında

SI1450DH-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 8V drain-source voltajında 4.53A (Ta) veya 6.04A (Tc) sürekli drenaj akımı sağlayabilir. 47mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sunar. SC70 (6-TSSOP/SOT-363) paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışır. Gate charge değeri 7.05nC olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. Güç yönetimi, enerji hasat, portatif cihazlar ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılır. Düşük voltaj uygulamaları için optimize edilmiş yapısı, mobil ve IoT cihazlarında yaygın olarak tercih edilir. Not: Bu ürün üretimden kaldırılmıştır (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.53A (Ta), 6.04A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 8 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.05 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 535 pF @ 4 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.56W (Ta), 2.78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 47mOhm @ 4A, 4.5V
Supplier Device Package SC-70-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok