Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI1441EDH-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 4A SOT-363

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
SI1441EDH

SI1441EDH-T1-GE3 Hakkında

SI1441EDH-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ve 4A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. SOT-363 (SC-88) paketinde sunulan bu bileşen, 41mOhm maksimum RDS(On) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Gate charge değeri 33nC olup, hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Güç yönetimi, pil şarj devreleri, anahtarlı güç kaynakları ve low-side driver uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 8 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41mOhm @ 5A, 4.5V
Supplier Device Package SC-70-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok