Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI1427EDH-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 2A SC70-6

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
SI1427EDH

SI1427EDH-T1-GE3 Hakkında

SI1427EDH-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V Vdss ile 2A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 64mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. SC70-6 yüzey montajlı paket tipi sayesinde kompakt PCB tasarımları için uygundur. Geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) güvenli çalışabilir. Anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, batarya yönetimi sistemlerinde ve genel sinyal kontrolü amaçlı kullanılır. ±8V maksimum Vgs ile dijital lojik seviyelerinden kolayca kontrol edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 8 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 64mOhm @ 3A, 4.5V
Supplier Device Package SC-70-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok