Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI1426DH-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI1426DH
SI1426DH-T1-GE3 Hakkında
SI1426DH-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 2.8A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri gerçekleştirmek için tasarlanmıştır. 75mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli iletkenlik sağlar. SC70-6 (SOT-363) yüzey monte paketinde sunulan SI1426DH, portatif cihazlar, güç yönetimi devreleri, sinyalleme ve düşük güç RF uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, kompakt tasarımlar için ideal bir seçimdir. Bileşen obsolete durumda olup, stok tükenene kadar temin edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 3.6A, 10V |
| Supplier Device Package | SC-70-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok