Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI1426DH-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
SI1426DH

SI1426DH-T1-E3 Hakkında

SI1426DH-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj (Vdss) desteği ve 2.8A maksimum drain akımı ile sürekli çalışma kapasitesine sahiptir. SC70-6 (6-TSSOP) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate voltajında 75mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. Gate charge değeri 3nC olarak belirtilmiş ve gate-source voltajı ±20V aralığında çalışabilir. -55°C ile +150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Maksimum 1W güç dağılımı kapasitesine sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve düşük seviye sinyal kontrol uygulamalarında tercih edilir. Part Status olarak Obsolete olarak işaretlenmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3 nC @ 4.5 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 3.6A, 10V
Supplier Device Package SC-70-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok