Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI1422DH-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
SI1422DH

SI1422DH-T1-GE3 Hakkında

SI1422DH-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source voltajı ve 4A sürekli drenaj akımı ile çalışır. 26mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. SC70-6 (SOT-363) yüzey montajlı pakette sunulur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Gate charge değeri 20nC ve input kapasitansı 725pF'dir. Anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve dijital kontrol sistemlerinde kullanılır. ±8V gate-source voltajında çalışır ve 1V gate-source eşik voltajına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 725 pF @ 6 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 5.1A, 4.5V
Supplier Device Package SC-70-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok