Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI1419DH-T1-E3

MOSFET P-CH 200V 300MA SC70-6

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
SI1419DH

SI1419DH-T1-E3 Hakkında

SI1419DH-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 300mA sürekli drain akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, küçük sinyal anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. SC70-6 (SOT-363) yüzey montajlı paketinde sunulan transistör, -55°C ile 150°C arasında güvenli şekilde çalışabilir. 10V gate geriliminde 5Ohm maksimum RDS(on) değeri ile düşük konuş kaybı sağlar. Anahtarlama devreleri, power management, DC-DC konvertörler ve genel sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir. Ürün şu anda üretimi durmuş durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 300mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.2 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 400mA, 10V
Supplier Device Package SC-70-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok