Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI1417EDH-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI1417EDH
SI1417EDH-T1-GE3 Hakkında
SI1417EDH-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source voltaj ile 2.7A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 4.5V gate voltajında 85mOhm on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 8nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliğini gösterir. SC70-6 (6-TSSOP) yüzey montaj paketinde üretilen bu komponentin maksimum power dissipation değeri 1W'tır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama devreleri, load switch ve genel sinyal kontrol uygulamalarında kullanılır. Düşük gate charge ve minimal on-resistance ile verimliliği arttırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 3.3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-70-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok