Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI1417EDH-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI1417EDH
SI1417EDH-T1-E3 Hakkında
SI1417EDH-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilimi ve 2.7A sürekli dren akımı ile çalışır. SC70-6 (6-TSSOP) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 85mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. 1W maksimum güç tüketimi ile tasarlanmıştır. Düşük gate charge (8nC) özelliği sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, motor kontrolü ve anahtarlamalı güç kaynaklarında tercih edilir. ±12V maksimum gate-source gerilimi ile esneklik sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 3.3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-70-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok