Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI1416EDH-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
SI1416EDH

SI1416EDH-T1-GE3 Hakkında

Vishay SI1416EDH-T1-GE3, 30V drain-source gerilimi ile çalışan N-Channel MOSFET transistörüdür. 3.9A sürekli drain akımı kapasitesi ve 58mΩ on-resistance (10V, 3.1A'da) ile düşük güç kaybı sağlar. 12nC gate charge karakteristiği hızlı anahtarlama uygulamalarına uygun kılar. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. SOT-363 (SC-88) paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 3.1A, 10V
Supplier Device Package SC-70-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok