Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI1414DH-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 4A SOT-363

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
SI1414DH

SI1414DH-T1-GE3 Hakkında

SI1414DH-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 4A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 46mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. SOT-363 (6-TSSOP/SC-70-6) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve RF uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında ve 2.8W maksimum güç tüketimi ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 560 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 4A, 4.5V
Supplier Device Package SC-70-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok