Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI1413EDH-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
SI1413EDH

SI1413EDH-T1-E3 Hakkında

SI1413EDH-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ve 2.3A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 115mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. SC70-6 (SOT-363) yüzey montaj paketi ile kompakt uygulamalara uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, batarya yönetim sistemleri ve düşük güçlü DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 8nC gate charge değeri hızlı anahtarlama sağlar. Not: Bu bileşen üretilmesi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 4.5 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 115mOhm @ 2.9A, 4.5V
Supplier Device Package SC-70-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 450mV @ 100µA (Min)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok