Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI1413DH-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
SI1413DH

SI1413DH-T1-GE3 Hakkında

SI1413DH-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 2.3A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. RDS(on) değeri 4.5V gate-source geriliminde 115mΩ civarında ölçülmektedir. SC-70-6 (6-TSSOP) kasa tipi ile surface mount uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına dayanıklıdır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, ses-video sistemleri ve taşınabilir cihazlarda yaygın olarak tercih edilir. 1W maksimum güç saçma kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5 nC @ 4.5 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 115mOhm @ 2.9A, 4.5V
Supplier Device Package SC-70-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 800mV @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok