Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI1411DH-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 420MA SOT363
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI1411DH
SI1411DH-T1-GE3 Hakkında
SI1411DH-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilimi ve 420mA sürekli drenaj akımı ile tasarlanmış olup, SOT-363 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 10V gate sürüş gerilimi altında 2.6Ohm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında stabilitesi nedeniyle güç yönetimi devrelerinde, analog anahtarlama uygulamalarında ve pozitif voltaj kaynağı kontrol devrelerinde kullanılır. 6.3nC gate yükü karakteristiği ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 420mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.3 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | SC-70-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok