Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI1406DH-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 3.1A SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI1406DH
SI1406DH-T1-GE3 Hakkında
SI1406DH-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 3.1A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. SC70-6 (SOT-363) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, çok düşük on-direnç (Rds On) değeri sayesinde güç kaybını minimize eder. Maksimum 65mOhm direnç değeri ve 7.5nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 1W güç dağıtabilir. Mobil cihazlar, güç yönetimi, LED sürücüler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Ürün artık üretilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 3.9A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-70-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok