Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI1405BDH-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI1405BDH
SI1405BDH-T1-GE3 Hakkında
SI1405BDH-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 8V drain-source voltajında 1.6A sürekli dren akımı sağlayan bu bileşen, 112mΩ maksimum RDS(on) direnci ile düşük geçiş kaybı sunar. SC70-6 (SOT-363) compact paketinde sunulan komponent, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, batarya koruma devreleri ve genel amaçlı anahtarlama işlevleri için kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, 5.5nC gate charge ve 305pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Cihazın obsolete durumda olduğu dikkat çekilmelidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 305 pF @ 4 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.47W (Ta), 2.27W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 112mOhm @ 2.8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-70-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok