Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI1401EDH-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 4A SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI1401EDH
SI1401EDH-T1-GE3 Hakkında
SI1401EDH-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drenaj-kaynak voltajı (Vdss) ile 4A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. SC70-6 (6-TSSOP) yüzey montajlı paketinde sağlanan bu bileşen, 34mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük direnç uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, batarya kontrolü ve endüstriyel kontrol sistemlerinde tercih edilmektedir. Gate charge değeri 36nC olup hızlı anahtarlama gerektiren devrelerde avantajlıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 8 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta), 2.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 5.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-70-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok