Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI1330EDL-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SC-70
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI1330EDL
SI1330EDL-T1-GE3 Hakkında
SI1330EDL-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajı ve 240mA sürekli dren akımı kapasitesiyle düşük güç uygulamalarında kullanılır. SC70 SMD paketinde sunulan bu transistör, 10V gate voltajında 2.5Ω maksimum on-direnci ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilen bileşen, IoT cihazları, sensör arabirimleri, düşük güçlü kontrol devreleri ve analog anahtar uygulamalarında yer alır. Düşük gate charge karakteristiği (0.6nC @ 4.5V) ile sürücü devrelerinin tasarımını basitleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 240mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 3V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 280mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 250mA, 10V |
| Supplier Device Package | SC-70-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok