Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI1308EDL-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
SC-70
Seri / Aile Numarası
SI1308EDL

SI1308EDL-T1-GE3 Hakkında

Vishay SI1308EDL-T1-GE3, 30V drain-source voltaj ve 1.4A sürekli akım kapasitesine sahip N-channel MOSFET transistördür. SC-70/SOT-323 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, düşük gate charge (4.1 nC @ 10V) ve 132mOhm maksimum RDS(on) değerleri ile elektronik devreler ve güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±12V gate-source voltaj aralığı ve -55°C ile +150°C işletme sıcaklığı aralığı sayesinde geniş uygulama yelpazesine uyum sağlar. Mobil cihazlar, AC/DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve düşük güç anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 105 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SC-70, SOT-323
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 400mW (Ta), 500mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 132mOhm @ 1.4A, 10V
Supplier Device Package SC-70-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok