Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI1307EDL-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 850MA SC70-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SC-70
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI1307EDL
SI1307EDL-T1-GE3 Hakkında
SI1307EDL-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilimi ile çalışan bu bileşen, maksimum 850mA sürekli drenaj akımı sağlar. SC-70 (SOT-323) surface mount paketinde sunulan transistör, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 290mOhm RDS(On) değeri ile düşük iletim kaybı sunar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yer alabilir. Düşük güç tüketimi (290mW max) ve kompakt boyutu ile pil destekli cihazlar, LED sürücüler ve DC anahtarlama devreleri için uygun bir seçimdir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 850mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 290mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-70-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok