Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI1307EDL-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 850MA SC70-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SC-70
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI1307EDL
SI1307EDL-T1-E3 Hakkında
SI1307EDL-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 12V drain-source voltaj desteği ile 850mA sürekli akım kapasitesine sahiptir. SC-70 (SOT-323) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, düşük rds(on) değeri (290mOhm @ 4.5V) ile anahtarlama uygulamalarında verimli çalışmaktadır. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Gate charge değeri 5nC olup hızlı komütasyon gerektiren devreler için uygundur. Güç yönetimi, batarya kontrol devreleri, yük anahtarlaması ve genel sinyal anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Bileşen obsolete durumda olup stok kontrol edilmelidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 850mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 290mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-70-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok