Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI1305EDL-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 860MA SC70-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SC-70
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI1305EDL
SI1305EDL-T1-GE3 Hakkında
SI1305EDL-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 8V Drain-Source voltaj desteği ile 860mA sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. SC-70 (SOT-323) SMD paketinde sunulan bu transistör, 280mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 4.5V gate sürüş voltajında çalışabilir ve -55°C ile +150°C arasında geniş sıcaklık aralığında kullanılabilir. Düşük güç uygulamaları, sinyal anahtarlaması, yük kontrolü ve portable elektronik cihazlarda sıklıkla tercih edilir. 290mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile kompakt tasarımlar için uygun bir bileşendir. Harita edilmiş durumda olması nedeniyle yeni tasarımlarda yerini daha güncel alternatifler almıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 860mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 290mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-70-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok