Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI1305DL-T1-E3
MOSFET P-CH 8V 860MA SC70-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SC-70
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI1305DL
SI1305DL-T1-E3 Hakkında
SI1305DL-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 8V drain-source gerilimi ve 860mA sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 4.5V gate geriliminde 280mOhm on-state direnci sunarak düşük güç kaybı sağlar. SC-70 (SOT-323) yüzey montajlı pakajı ile kompakt uygulamalara uygundur. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında ve 290mW maksimum güç yayılımıyla kullanılır. Anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında, batarya yönetim sistemlerinde ve genel amaçlı P-Channel MOSFET uygulamalarında tercih edilir. Cihazın üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete status).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 860mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 290mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-70-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok