Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI1304BDL-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 900MA SC70-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SC-70
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI1304BDL
SI1304BDL-T1-GE3 Hakkında
SI1304BDL-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj ve 900mA sürekli drenaj akımı kapasitesi ile küçük güç uygulamalarında kullanılır. SC-70 (SOT-323) paketlemesi sayesinde yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygundur. 4.5V gate geriliminde 270mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. LED sürücüleri, analog anahtarlar, küçük motor kontrolü ve düşük güçlü dijital uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Düşük gate charge (2.7nC) hızlı anahtarlama gerektiren devrelerde avantaj sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 900mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.7 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 100 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 340mW (Ta), 370mW (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 900mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-70-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok