Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI1300BDL-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 400MA SC70-3

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
SC-70
Seri / Aile Numarası
SI1300BDL

SI1300BDL-T1-GE3 Hakkında

SI1300BDL-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajı ve 400mA sürekli drain akımı ile tasarlanmış bu bileşen, düşük güç uygulamalarında anahtarlama işlevini sağlar. SC-70 (SOT-323) paketinde sunulan transistör, 850mOhm maksimum Rds(on) değeri ile hızlı ve verimli anahtarlama performansı sunar. 35pF input kapasitansı ve düşük gate charge karakteristiği ile sürücü devrelerinin tasarımını kolaylaştırır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu bileşen, portatif cihazlar, güç yönetimi modülleri, LED sürücüleri ve analog anahtarlamalar gibi uygulamalarda kullanılır. Ancak ürün artık üretimi sonlandırılmış (obsolete) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 400mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.84 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 35 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SC-70, SOT-323
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 190mW (Ta), 200mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850mOhm @ 250mA, 4.5V
Supplier Device Package SC-70-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok