Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI1300BDL-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 400MA SC70-3

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
SC-70
Seri / Aile Numarası
SI1300BDL

SI1300BDL-T1-E3 Hakkında

SI1300BDL-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj (Vdss) ile maksimum 400mA sürekli akım kapasitesine sahiptir. SC-70 (SOT-323) paketinde sunulan bu bileşen, düşük gate charge (0.84 nC @ 4.5V) ve 850mΩ on-resistance özelliği ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Taşınabilir cihazlar, IoT uygulamaları, pil yönetimi ve düşük güç kontrol devreleri gibi alanların yanı sıra genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 190mW güç disipasyonu kapasitesine sahiptir. Not: Bu komponent kullanımdan kaldırılmıştır (obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 400mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.84 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 35 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SC-70, SOT-323
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 190mW (Ta), 200mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850mOhm @ 250mA, 4.5V
Supplier Device Package SC-70-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok