Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI1079X-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI1079X
SI1079X-T1-GE3 Hakkında
SI1079X-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 1.44A sürekli dren akımı ile çalışmakta, 100mΩ maksimum Rds(On) değerine sahiptir. SOT-563 (SC-89-6) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilmektedir. 4.5V gate sürücü geriliminde optimize edilmiş olan cihaz, düşük güç uygulamalarında, anahtarlama devreleri ve load switch uygulamalarında kullanılmaktadır. 26nC gate yükü ve 750pF giriş kapasitansı sayesinde hızlı komütasyon özellikleri sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.44A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 750 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 330mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 1.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-89-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok