Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI1078X-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI1078X
SI1078X-T1-GE3 Hakkında
Vishay SI1078X-T1-GE3, 30V drain-source voltajında çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 1.02A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 142mOhm maksimum on-state direnci (10V gate voltajında) sayesinde düşük ısı kaybı sağlar. SOT-563 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, voltaj regülatörleri, güç dağıtımı, anahtarlama devreleri ve taşınabilir cihaz uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında işletilmek üzere tasarlanmıştır. Düşük kapı yükü (3nC @ 4.5V) ve minimal input kapasitanası (110pF @ 15V) ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.02A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 110 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 240mW (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 142mOhm @ 1A, 10V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok