Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI1077X-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V SC89-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI1077X
SI1077X-T1-GE3 Hakkında
SI1077X-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilim rating'ine sahip bu bileşen, 1.75A sürekli drain akımı kapasitesiyle çalışır. SOT-563 (SC-89) paketinde sunulan transistör, düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve sinyal amplifikasyonu görevlerinde kullanılır. 78mOhm maksimum on-direnci (Rds On) ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Kısıtlı alan gerektiren mobil cihazlar, güç yönetimi devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.75A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31.1 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 965 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 330mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78mOhm @ 1.8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-89 (SOT-563F) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok