Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI1073X-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
SOT-563
Seri / Aile Numarası
SI1073X

SI1073X-T1-GE3 Hakkında

SI1073X-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajında 980mA sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 173mΩ (10V, 980mA) maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş direncine sahiptir. SC89 (SOT-563) paketinde sunulan bu bileşen, düşük güç kaybı gerektiren anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 9.45nC gate charge ve 265pF input capacitance değerleriyle hızlı komütasyon özelliği sunar. Surface mount montajı için uygundur. Nota: Bu ürün üretimi durdurulmuştur (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 980mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 265 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-563, SOT-666
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 236mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 173mOhm @ 980mA, 10V
Supplier Device Package SC-89 (SOT-563F)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok