Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI1072X-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V SC89-6

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
SOT-563
Seri / Aile Numarası
SI1072X

SI1072X-T1-GE3 Hakkında

SI1072X-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ve 1.3A sürekli drenaj akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 93mOhm On-resistance değeri ile verimli anahtar işlemi gerçekleştirir. SC-89 (SOT-563) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. LED sürücüleri, güç yönetimi devreleri, analog anahtarlama ve küçük sinyal uygulamalarında tercih edilir. 8.3nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. NOT: Bu ürün üretimi sonlandırılmış (Obsolete) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-563, SOT-666
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 236mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 93mOhm @ 1.3A, 10V
Supplier Device Package SC-89 (SOT-563F)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok