Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI1072X-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 1.3A SC89-6

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
SOT-563
Seri / Aile Numarası
SI1072X

SI1072X-T1-E3 Hakkında

SI1072X-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj aralığında 1.3A sürekli dren akımı ile çalışır. SOT-563 (SC-89) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (93mΩ @ 10V, 1.3A) sayesinde anahtarlama uygulamalarında verimli performans sağlar. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 8.3nC gate charge ve 280pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama gerektiren DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanım için uygun özelliklere sahiptir. Cihazın obsolete (kullanımdan kaldırılmış) durumda olduğu dikkate alınmalıdır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-563, SOT-666
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 236mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 93mOhm @ 1.3A, 10V
Supplier Device Package SC-89 (SOT-563F)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok