Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI1071X-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI1071X
SI1071X-T1-GE3 Hakkında
SI1071X-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 960mA sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında tercih edilir. 167mOhm RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. SC89 (SOT-563) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi devreleri, anahtarlama uygulamaları ve düşük voltajlı DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir işlem yapabilir. Düşük kapasite ve hızlı gate charge özellikleri ile yazılım ve donanım kontrollü anahtarlama uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 960mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 315 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 236mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 167mOhm @ 960mA, 10V |
| Supplier Device Package | SC-89 (SOT-563F) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.45V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok